万博manbetxios是什么:光电子材料与技术研究所博士生王幸福的研究成果在Nanoscale上发表

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简介注释字体: 光电子资料与技术研讨所博士生王幸运的研讨成果在Nanoscale上发表 2014-09-11 11:53:09 340 近日,光电子资料与技术研讨所李述体研讨员指点的2013级博士生王幸运,在英国皇家化学

光电子资料与技术研讨所博士生王幸运的研讨成果在Nanoscale上发表

2014-09-11 11:53:09

近日,光电子资料与技术研讨所李述体研讨员指点的2013级博士生王幸运,在英国皇家化学学会旗下纳米技术畛域国际顶尖期刊Nanoscale(SCI一区,影响因子6.739)上发表了题为“Ultrafast, superhigh gain visible-blind UV detector and optical logic gates based on nonpolar a-axial GaN nanowire”(DOI: 10.1039/C4NR03581J)的研讨论文。

该研讨哄骗GaN在Si衬底不同晶面的异质成长个性,胜利制备出尺寸、密度、物理和化学物性高度可控的GaN基纳米线,并在此根蒂根基之上,探究出GaN单根纳米线紫外探测器的研制方式并零碎地研讨了器件的机能,研讨了局发觉该器件存在超快的紫外呼应,灵敏度达104数量级,外量子效率达105数量级,完成了基于单根半导体纳米线器件的超快速、高灵敏度、高效率的紫外探测。哄骗器件对紫外光优秀的呼应个性,经由过程对单根纳米线器件平正地组装,该研讨继承探究并搭建了光学逻辑门器件,完成了光学逻辑“与”门和逻辑 “或”门驾御。该项研讨不仅完成了机能优秀的单根纳米线紫外探测器的研制,同时也开辟了纳米线器件在逻辑存储器件方面的使用,存在首要的实际价值和使用近景。在此事情根蒂根基上,课题组将继承在InGaN/GaN、AlGaN/GaN核壳布局纳米线制备,纳米压电器件、纳米气敏器件等方面发展研讨。

此前,王幸运还在英国皇家化学学会顶级化学期刊Chemical Communication(影响因子6.718,Vol. 50, pp. 682-684 (2014))上发表纳米线制备论文,并完成光泵浦激光。 

作者/通讯员:光电子资料与技术研讨所 | 起源:未知 | 编纂:连泽纯

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